Meno autora: admin88

Silicon carbide is an advanced material developed for use in high temperature environments. It could reduce reliance on active cooling […]

Tranzistory MOSFET z karbidu kremíka prekonávajú tranzistory Si IGBT, pokiaľ ide o vysokonapäťové aplikácie, ako sú inteligentné energetické vozidlá a priemyselné aplikácie.

Brúsny materiál z karbidu kremíka je uhlovo čierny materiál používaný v brúsnych kotúčoch, kašovitých zmesiach a žiaruvzdorných materiáloch na brúsenie.

Karbid kremíka je vysoko výkonný keramický materiál s mnohými výhodami vrátane odolnosti voči oxidácii pri vysokých teplotách, tvrdosti, pevnosti a nízkej

Karbid kremíka (SiC) je mimoriadne odolný materiál s extrémne tvrdou tvrdosťou podľa Mohsovej stupnice 9 a

Karbid kremíka sa už od 19. storočia používa ako brúsivo na brúsenie krehkých povrchov. Okrem toho tento tvrdý

Karbid kremíka je inovatívny polovodičový substrát s mnohými výhodami oproti tradičnému kremíku. Od revolúcie vo výkonovej elektronike až po poskytovanie

Karbid kremíka (SiC) je extrémne tvrdá synteticky vyrábaná kryštalická zlúčenina so širokým priemyselným využitím. SiC je na Mohsovom stupni 9,5

Karbid kremíka alebo SiC je mimoriadne pevný a odolný materiál s jedinečnými elektrickými vlastnosťami. Kryštalický uhlík môže byť