Der Herstellungsprozess von reaktionsgebundenem Siliciumcarbid ist relativ einfach. Bei dieser Art von Siliciumcarbid-Keramik wird direkt Siliciumcarbid mit einer bestimmten Partikelgrößenverteilung verwendet, das nach dem Mischen mit Kohlenstoff Embryonen bildet und dann bei hoher Temperatur aufkohlt. Ein Teil des Siliziums reagiert mit Kohlenstoff und erzeugt SiC, das sich mit dem SIC im ursprünglichen Embryo verbindet, um den Zweck der Sinterung zu erreichen. Es gibt zwei Aufkohlungsmethoden: Die eine besteht darin, die Schmelztemperatur von Silizium zu erreichen, die Schmelztemperatur von Silizium zu erzeugen und Siliziumdampf zu erzeugen, Der Zweck des Sinterns wird durch das Eindringen von Siliziumdampf in den Embryo erreicht. Die Produktionskosten des mit diesem Verfahren hergestellten SiC-Sinterkörpers sind niedrig. Allerdings wird durch dieses Verfahren der Rest an freiem Silizium im gesinterten Embryo bestimmt. Dieser Teil des Siliziums dürfte sich auf die Anwendung künftiger Produkte auswirken. Zum einen verringert er die Festigkeit und Verschleißfestigkeit des Sinterkörpers, zum anderen macht das Vorhandensein von freiem Silizium das Siliziumkarbid säurebeständig.
Sinterfreie Siliziumkarbidkeramik: Das drucklose Sintern von Siliziumkarbid kann in Festphasensintern und Flüssigphasensintern unterteilt werden. Die Reinheit des drucklos gesinterten Siliziumkarbids ist hoch, der Gehalt an Siliziumkarbid beträgt mehr als 97%, die Säure- und Alkali-Korrosionsbeständigkeit ist viel besser als die von reaktionsgesintertem Siliziumkarbid, und es ist einfach, eine Serienproduktion zu erreichen.
Das Heißpresssintern von Siliciumcarbidkeramik ist eine der effektivsten Methoden zur Herstellung von Siliciumcarbidkeramik mit hoher Dichte. Die Eigenschaften von heißgepresstem Siliciumcarbid sind im Allgemeinen höher als die von reaktionsgesintertem und drucklosem gesintertem Siliciumcarbid, insbesondere die feinen Körner, die hohe Kompaktheit sowie die hohe Festigkeit und Härte der Produkte.
Hochtemperatur-Heißisostatisches Pressen zum Sintern von Siliciumcarbid-Keramik: Hochtemperatur-Heißisostatisches Pressen ist ein fortschrittliches keramisches Sinterverfahren. Das keramische Pulver oder der keramische Embryo wird verpackt und in eine Hochtemperatur-Heißisostatik-Pressvorrichtung gegeben und dann unter hoher Temperatur und hohem Druck zu einem dichten Körper gesintert. Es zeichnet sich durch eine gleichzeitige und gleichmäßige Druckbeaufschlagung aus, die als HIP bezeichnet wird.
Rekristallisierte Siliziumkarbidkeramik: Nach dem Mischen, Formen und Trocknen werden die Rohstoffe in einem luftisolierten Hochtemperatur-Elektroofen bei 2300~2500 ℃ gebrannt. Wenn die Temperatur 2100 ℃ übersteigt, wird Siliziumkarbid verdampfen und kondensieren, was zur Bildung von rekristallisierten Siliziumkarbid-Keramik ohne Sinterschrumpfung und selbstbindende Struktur.