forskellige slags siliciumkarbidkeramik

Fremstillingsprocessen for reaktionsbundet siliciumkarbid er forholdsvis enkel. Denne type siliciumkarbidkeramik anvender direkte siliciumkarbid med en bestemt partikelstørrelsesfordeling, danner emner efter blanding med kulstof og gennemgår derefter en karburering ved høj temperatur. En del af siliciumet reagerer med kulstof og danner SiC, som forbinder sig med SiC i den oprindelige form for at opnå formålet med sintringen. Der findes to karboniseringsmetoder: Den ene går ud på at nå siliciums smeltetemperatur, generere siliciumdamp, og formålet med sintringen opnås ved, at siliciumdampen trænger ind i emnet. Produktionsomkostningerne for et SiC-sintret emne fremstillet ved denne proces er lave. Denne proces bestemmer imidlertid mængden af resterende frit silicium i den sintrede emne. Denne andel af silicium bør have indflydelse på anvendelsen af fremtidige produkter. På den ene side reducerer det det sintrede legemets styrke og slidstyrke, og på den anden side gør tilstedeværelsen af frit silicium siliciumkarbid syrebestandigt.

Sintringsfri siliciumkarbidkeramik: Trykløs sintring af siliciumkarbid kan opdeles i fastfasesintring og væskefasesintring. Renheden af trykløst sintret siliciumkarbid er høj, indholdet af siliciumkarbid er over 97%, modstandsdygtigheden over for syre- og alkalikorrosion er langt bedre end for reaktionssintret siliciumkarbid, og det er let at opnå serieproduktion.

Varmpresning af siliciumkarbidkeramik er en af de mest effektive metoder til fremstilling af siliciumkarbidkeramik med høj densitet. Egenskaberne ved varmpresset siliciumkarbid er generelt bedre end ved reaktionssintreret og trykfrit sintreret siliciumkarbid, især hvad angår de fine korn, den høje kompakthed samt produkternes høje styrke og hårdhed.

Sintring af siliciumkarbidkeramik ved højtemperatur-isostatisk presning: Højtemperatur-isostatisk presning er en avanceret keramisk sintringsproces. Det keramiske pulver eller den keramiske form pakkes og anbringes i et anlæg til isostatisk presning ved høj temperatur, hvorefter det sintres til et tæt legeme under høj temperatur og højt tryk. Processen er kendetegnet ved samtidig og ensartet trykpåføring, også kaldet HIP.

Rekrystalliseret siliciumkarbidkeramik: Efter blanding, formning og tørring brændes råmaterialerne i en luftisoleret elektrisk højtemperaturovn ved 2300–2500 ℃. Når temperaturen overstiger 2100 ℃, fordamper og kondenserer siliciumcarbid, hvilket resulterer i dannelsen af omkrystalliseret siliciumcarbidkeramik uden sintringskrympning og med en selvbindende struktur.