不同种类的碳化硅陶瓷

这种碳化硅陶瓷直接使用具有一定粒度分布的碳化硅，与碳混合后形成胚体，然后在高温下渗碳。部分硅与碳反应生成碳化硅，碳化硅与原胚中的碳化硅结合，达到烧结的目的。渗碳方法有两种：一种是达到硅的熔化温度，生成硅的熔化温度，生成硅蒸汽，通过硅蒸汽渗入胚体达到烧结目的。这种工艺制备的碳化硅烧结体生产成本低。但是，这种工艺决定了烧结胚中残留的游离硅。这部分硅应该会对未来产品的应用产生影响。一方面，它降低了烧结体的强度和耐磨性，另一方面，游离硅的存在使碳化硅具有耐酸性。

无压烧结碳化硅陶瓷：无压烧结碳化硅可分为固相烧结和液相烧结。无压烧结碳化硅纯度高，碳化硅含量大于 97%，耐酸碱腐蚀性能大大优于反应烧结碳化硅，且易于实现批量生产。

热压烧结碳化硅陶瓷是制备高密度碳化硅陶瓷最有效的方法之一。热压烧结碳化硅的性能普遍高于反应烧结和无压烧结碳化硅，尤其是颗粒细、致密性高、产品强度和硬度高。

高温热等静压烧结碳化硅陶瓷：高温热等静压是一种先进的陶瓷烧结工艺。将陶瓷粉或陶瓷胚包装后放入高温热等静压装置中，在高温高压下烧结成致密体。其特点是同时均匀加压，简称 HIP。

再结晶碳化硅陶瓷：原料经混合、成型和干燥后，在 2300~2500 ℃ 的空气绝缘高温电炉中烧制。当温度超过 2100 ℃ 时，碳化硅会蒸发凝结，形成无烧结收缩和自结合结构的再结晶碳化硅陶瓷。