MOSFET:er av kiselkarbid \u00f6vertr\u00e4ffar Si IGBT-transistorer n\u00e4r det g\u00e4ller h\u00f6gsp\u00e4nningsapplikationer som smarta energibilar och industrimaskiner, och erbjuder \u00f6verl\u00e4gsen effektprestanda j\u00e4mf\u00f6rt med IGBT-transistorer n\u00e4r det g\u00e4ller effektprestanda, v\u00e4rmeavledning och temperaturintervall. Dessutom \u00e4r de mer tillf\u00f6rlitliga \u00e4n IGBT-transistorerna.<\/p>\n
N\u00e4r en positiv sp\u00e4nning appliceras vid grinden p\u00e5 kiselytan av p-typ dras h\u00e5l bort av det elektriska f\u00e4ltet och l\u00e4mnar efter sig ett tomt omr\u00e5de som kallas utarmningszon.<\/p>\n
MOSFET:er av kiselkarbid har h\u00f6g m\u00e4rksp\u00e4nning och fungerar utm\u00e4rkt i olika elektroniska kretsar tack vare sina energisparande egenskaper och effektiva v\u00e4rmeavledning.<\/p>\n
De har l\u00e4gre ON-motst\u00e5nd och arbetar vid h\u00f6gre frekvenser \u00e4n traditionella kiselbaserade kraftaggregat - ofta flaskhalsen i moderna system - vilket ger betydande f\u00f6rdelar i form av minskad komponentstorlek och systemeffektivitet.<\/p>\n
SiC-str\u00f6mkretsar har \u00f6verl\u00e4gsna elektriska parametrar j\u00e4mf\u00f6rt med kiselkretsar, inklusive l\u00e4gre RDSon och drifttemperaturprestanda, vilket g\u00f6r dem l\u00e4mpliga f\u00f6r kr\u00e4vande applikationer som traktionsomriktare, svetsmaskiner, system f\u00f6r f\u00f6rnybar energi och laddningsstationer, IT-datacenter samt robusta milj\u00f6er som svetsb\u00e5s. Deras \u00f6verl\u00e4gsna tillf\u00f6rlitlighet och livsl\u00e4ngd g\u00f6r dem extremt popul\u00e4ra bland ingenj\u00f6rer - enbart denna faktor f\u00f6rklarar deras \u00f6kande popularitet bland ingenj\u00f6rer.<\/p>\n
MOSFET:er av kiselkarbid g\u00f6r det m\u00f6jligt f\u00f6r kraftaggregat att hantera h\u00f6ga str\u00f6mmar effektivt, vilket \u00e4r avg\u00f6rande eftersom det m\u00f6jligg\u00f6r h\u00f6gre switchfrekvenser som minskar kraven p\u00e5 induktiva och kapacitiva komponenter i kraftkretsdesign.<\/p>\n
SiC MOSFETs fungerar genom att dra str\u00f6m mellan sina k\u00e4ll- och dr\u00e4neringsterminaler, vilket aktiveras genom att applicera positiv sp\u00e4nning p\u00e5 deras grindar; detta skapar ett elektriskt f\u00e4lt som drar elektroner fr\u00e5n dess \u00f6vre p-region till en ledande kanal, vilket placerar den i sitt \"p\u00e5\"-l\u00e4ge. Omv\u00e4nt, genom att applicera noll eller negativ sp\u00e4nning v\u00e4nds denna effekt, vilket stoppar str\u00f6mfl\u00f6det och placerar enheten tillbaka i sitt \"off\"-l\u00e4ge.<\/p>\n
Eftersom SiC MOSFETs \u00e4r unipol\u00e4ra enheter (d\u00e4r endast elektroner fl\u00f6dar genom halvledaromr\u00e5den av n-typ f\u00f6r str\u00f6mfl\u00f6de) kan de sl\u00e5s p\u00e5 vid relativt l\u00e5ga drain-source-sp\u00e4nningar med mycket litet motst\u00e5nd i tillst\u00e5ndet, vilket resulterar i snabbare omkopplingstider.<\/p>\n
Mosfets av kiselkarbid \u00e4r konstruerade f\u00f6r anv\u00e4ndning i tuffa milj\u00f6er och \u00e4r ett utm\u00e4rkt komplement till traktionsomriktare, motordrifter, solenergi- och reservkraftsystem. Deras h\u00f6gre effektivitet j\u00e4mf\u00f6rt med kiselkomponenter m\u00f6jligg\u00f6r mindre system p\u00e5 en mindre yta samtidigt som de ger h\u00f6gre effekt \u00e4n enbart kraftfullare kiselkomponenter.<\/p>\n
SiC MOSFETs kan n\u00e5 mycket h\u00f6gre blockeringssp\u00e4nningar \u00e4n IGBTs (upp till 1200V), men deras drain-to-source (VDS) signal m\u00e5ste hanteras noggrant p\u00e5 h\u00f6gsidiga switchar f\u00f6r att undvika en \u00f6versp\u00e4nning som kan leda till betydande Joule-uppv\u00e4rmning och skada p\u00e5 enheten. D\u00e4rf\u00f6r kr\u00e4vs noggranna valideringsm\u00e4tningar med hj\u00e4lp av ett oscilloskop med exakta prober och d\u00f6dtider f\u00f6r korrekt hantering.<\/p>\n
Tektronix tillhandah\u00e5ller en rad olika verktyg f\u00f6r validering av prestanda hos krafthalvledare, inklusive MOSFETs. Utforska mer med v\u00e5r nya applikationsnot - Effektiv m\u00e4tning av MOSFET-signaler i SiC-kraftelektronik<\/p>\n
MOSFET:er av kiselkarbid har l\u00e4gre l\u00e4ckstr\u00f6m \u00e4n motsvarande MOSFET:er av kisel, vilket m\u00f6jligg\u00f6r snabbare v\u00e4xlingshastigheter och minimerar de totala energif\u00f6rlusterna i kraftsystem.<\/p>\n
SiC MOSFETs \u00e4r mer motst\u00e5ndskraftiga mot termisk rusning \u00e4n standard MOSFETs och IGBTs i kisel, vilket g\u00f6r att de kan arbeta effektivt \u00e4ven i varmare omgivningstemperaturer utan ytterligare kylkomponenter. Detta g\u00f6r SiC MOSFETs s\u00e4rskilt l\u00e4mpliga f\u00f6r industri- och fordonsapplikationer d\u00e4r exakt objektpositionering eller verktygsarmr\u00f6relse kr\u00e4ver h\u00f6g servomotorstyrning f\u00f6r exakt positionering eller r\u00f6relse.<\/p>\n
GeneSiCs tredje generationens MOSFET-portf\u00f6lj i kiselkarbid (SiC) har toppmoderna kapslingar och nakna chip, med m\u00e4rkdata fr\u00e5n 650 V till 6,5 kV, vilket g\u00f6r dem l\u00e4mpliga f\u00f6r h\u00e5rda och resonanta kopplingstopologier, effektiv drift av IGBT:er och betydande vikt- och storleksreducering.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon Carbide MOSFETs outperform Si IGBT transistors when it comes to high voltage applications like smart energy vehicles and industrial […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"default","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[3],"tags":[],"class_list":["post-58","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/58","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=58"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/58\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":59,"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/58\/revisions\/59"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=58"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=58"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=58"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}