MOSFET-urile din carbur\u0103 de siliciu dep\u0103\u0219esc performan\u021bele tranzistoarelor Si IGBT atunci c\u00e2nd vine vorba de aplica\u021bii de \u00eenalt\u0103 tensiune, cum ar fi vehiculele energetice inteligente \u0219i utilajele industriale, oferind performan\u021be superioare fa\u021b\u0103 de tranzistoarele IGBT \u00een ceea ce prive\u0219te performan\u021ba energetic\u0103, disiparea c\u0103ldurii \u0219i gama de temperaturi. \u00cen plus, fiabilitatea lor o dep\u0103\u0219e\u0219te \u0219i pe cea a tranzistoarelor IGBT.<\/p>\n
C\u00e2nd este aplicat\u0103 la poart\u0103, atunci c\u00e2nd se aplic\u0103 o tensiune pozitiv\u0103 pe suprafa\u021ba siliciului de tip p, g\u0103urile sunt atrase de c\u00e2mpul electric al acesteia \u0219i las\u0103 \u00een urm\u0103 o regiune goal\u0103 numit\u0103 zon\u0103 de deple\u021bie.<\/p>\n
MOSFET-urile din carbur\u0103 de siliciu au o tensiune nominal\u0103 ridicat\u0103 \u0219i func\u021bioneaz\u0103 excep\u021bional \u00een diverse proiecte de circuite electronice datorit\u0103 atributelor lor de economisire a energiei \u0219i abilit\u0103\u021bilor eficiente de disipare a c\u0103ldurii.<\/p>\n
Acestea au o rezisten\u021b\u0103 ON mai mic\u0103 \u0219i func\u021bioneaz\u0103 la frecven\u021be mai mari dec\u00e2t dispozitivele de alimentare tradi\u021bionale pe baz\u0103 de siliciu - adesea blocajul pentru sistemele moderne - oferind beneficii semnificative \u00een ceea ce prive\u0219te dimensiunea redus\u0103 a componentelor \u0219i eficien\u021ba sistemului.<\/p>\n
Dispozitivele de putere SiC se m\u00e2ndresc cu parametri electrici superiori \u00een compara\u021bie cu dispozitivele din siliciu, inclusiv RDSon mai sc\u0103zut \u0219i performan\u021ba la temperatura de func\u021bionare, ceea ce le face potrivite pentru aplica\u021bii solicitante, cum ar fi invertoare de trac\u021biune, ma\u0219ini de sudur\u0103, sisteme de energie regenerabil\u0103 \u0219i sta\u021bii de \u00eenc\u0103rcare, centre de date IT, precum \u0219i medii dure, cum ar fi cabinele de sudur\u0103. Fiabilitatea \u0219i durata lor de via\u021b\u0103 superioare le fac extrem de populare \u00een r\u00e2ndul inginerilor - acest factor este singurul care explic\u0103 popularitatea lor \u00een cre\u0219tere \u00een r\u00e2ndul inginerilor.<\/p>\n
MOSFET-urile din carbur\u0103 de siliciu permit dispozitivelor de putere s\u0103 gestioneze eficient curen\u021bi mari, ceea ce este esen\u021bial deoarece permite frecven\u021be de comutare mai mari care reduc cerin\u021bele componentelor inductive \u0219i capacitive \u00een proiectarea circuitelor de putere.<\/p>\n
MOSFET-urile SiC func\u021bioneaz\u0103 prin atragerea curentului \u00eentre terminalele surs\u0103 \u0219i dren\u0103, care este activat prin aplicarea unei tensiuni pozitive la por\u021bile lor; aceasta creeaz\u0103 un c\u00e2mp electric care atrage electronii din regiunea p superioar\u0103 \u00eentr-un canal conductiv, plas\u00e2ndu-l \u00een starea \"pornit\". Invers, aplicarea unei tensiuni zero sau negative inverseaz\u0103 acest efect, oprind fluxul de curent \u0219i plas\u00e2nd dispozitivul \u00eenapoi \u00een starea \"oprit\".<\/p>\n
Deoarece MOSFET-urile SiC sunt dispozitive unipolare (care implic\u0103 doar trecerea electronilor prin regiunile semiconductoare de tip n pentru fluxul de curent), acestea pot fi pornite la tensiuni dren\u0103-surs\u0103 relativ sc\u0103zute, cu o rezisten\u021b\u0103 foarte mic\u0103 \u00een stare activ\u0103, ceea ce duce la timpi de comutare mai rapizi.<\/p>\n
Mosfetele din carbur\u0103 de siliciu sunt concepute pentru a fi utilizate \u00een medii dificile \u0219i reprezint\u0103 o completare excelent\u0103 pentru invertoarele de trac\u021biune, ac\u021bion\u0103rile motoarelor, sistemele de alimentare cu energie solar\u0103 \u0219i de rezerv\u0103. Eficien\u021ba lor mai mare \u00een compara\u021bie cu dispozitivele cu siliciu permite realizarea de sisteme mai mici \u00eentr-un spa\u021biu mai mic, oferind \u00een acela\u0219i timp o putere mai mare dec\u00e2t dispozitivele cu siliciu mai puternice.<\/p>\n
MOSFET-urile SiC pot atinge tensiuni de blocare mult mai mari dec\u00e2t IGBT-urile (p\u00e2n\u0103 la 1 200 V), \u00eens\u0103 semnalul lor dren\u0103-surs\u0103 (VDS) trebuie gestionat cu aten\u021bie pe comutatoarele high side pentru a evita o supratensiune care ar putea duce la o \u00eenc\u0103lzire Joule semnificativ\u0103 \u0219i la deteriorarea dispozitivului. Prin urmare, sunt necesare m\u0103sur\u0103tori precise de validare utiliz\u00e2nd un osciloscop cu sonde precise \u0219i timpi mor\u021bi pentru o gestionare adecvat\u0103.<\/p>\n
Tektronix ofer\u0103 o gam\u0103 larg\u0103 de instrumente pentru validarea performan\u021bei semiconductorilor de putere, inclusiv a MOSFET-urilor. Explora\u021bi mai multe cu noua noastr\u0103 not\u0103 de aplica\u021bie - M\u0103surarea eficient\u0103 a semnalelor MOSFET \u00een electronica de putere SiC<\/p>\n
MOSFET-urile din carbur\u0103 de siliciu prezint\u0103 un curent de scurgere mai mic dec\u00e2t omologii lor din siliciu, permi\u021b\u00e2nd viteze de comutare mai mari \u0219i minimiz\u00e2nd pierderile totale de energie \u00een sistemele de alimentare.<\/p>\n
MOSFET-urile SiC sunt mai rezistente la sc\u0103parea termic\u0103 dec\u00e2t MOSFET-urile \u0219i IGBT-urile de putere standard din siliciu, permi\u021b\u00e2ndu-le s\u0103 func\u021bioneze eficient chiar \u0219i la temperaturi ambientale mai ridicate, f\u0103r\u0103 componente suplimentare de r\u0103cire. Acest lucru face ca MOSFET-urile SiC s\u0103 fie deosebit de potrivite pentru aplica\u021biile industriale \u0219i auto \u00een care pozi\u021bionarea precis\u0103 a obiectelor sau mi\u0219carea bra\u021bului sculei necesit\u0103 un control ridicat al servomotoarelor pentru pozi\u021bionare sau mi\u0219care precis\u0103.<\/p>\n
Cea de-a treia genera\u021bie de MOSFET-uri din carbur\u0103 de siliciu (SiC) de la GeneSiC se m\u00e2ndre\u0219te cu pachete de ultim\u0103 genera\u021bie \u0219i cu matri\u021be goale, oferind valori nominale de la 650 V la 6,5 kV, ceea ce le face potrivite pentru topologii de comutare rezonante \u0219i dure, conduc\u00e2nd eficient IGBT-urile \u0219i duc\u00e2nd la o reducere semnificativ\u0103 a greut\u0103\u021bii \u0219i dimensiunilor.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon Carbide MOSFETs outperform Si IGBT transistors when it comes to high voltage applications like smart energy vehicles and industrial […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"default","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[3],"tags":[],"class_list":["post-58","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-sic-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/58","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=58"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/58\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":59,"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/58\/revisions\/59"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=58"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=58"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbideceramic.net\/ro\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=58"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}