Os MOSFETs de carboneto de sil\u00edcio superam os trans\u00edstores Si IGBT no que diz respeito a aplica\u00e7\u00f5es de alta tens\u00e3o, como ve\u00edculos de energia inteligente e maquinaria industrial, oferecendo um desempenho de pot\u00eancia superior aos trans\u00edstores IGBT em termos de desempenho de pot\u00eancia, dissipa\u00e7\u00e3o de calor e gama de temperaturas. Al\u00e9m disso, a sua fiabilidade tamb\u00e9m excede a dos IGBT.<\/p>\n
Quando se aplica uma tens\u00e3o positiva \u00e0 superf\u00edcie do sil\u00edcio do tipo p, os buracos s\u00e3o atra\u00eddos pelo campo el\u00e9trico e deixam para tr\u00e1s uma regi\u00e3o vazia chamada zona de deple\u00e7\u00e3o.<\/p>\n
Os MOSFETs de carboneto de sil\u00edcio apresentam classifica\u00e7\u00f5es de alta tens\u00e3o e t\u00eam um desempenho excecional em v\u00e1rios projectos de circuitos electr\u00f3nicos devido aos seus atributos de poupan\u00e7a de energia e capacidades eficazes de dissipa\u00e7\u00e3o de calor.<\/p>\n
Apresentam uma resist\u00eancia ON mais baixa e funcionam a frequ\u00eancias mais elevadas do que os dispositivos de alimenta\u00e7\u00e3o tradicionais baseados em sil\u00edcio - frequentemente o ponto de estrangulamento dos sistemas modernos - proporcionando vantagens significativas em termos de redu\u00e7\u00e3o do tamanho dos componentes e da efici\u00eancia do sistema.<\/p>\n
Os dispositivos de pot\u00eancia SiC apresentam par\u00e2metros el\u00e9ctricos superiores aos dos dispositivos de sil\u00edcio, incluindo um RDSon mais baixo e um desempenho \u00e0 temperatura de funcionamento, o que os torna adequados para aplica\u00e7\u00f5es exigentes, como inversores de tra\u00e7\u00e3o, m\u00e1quinas de soldar, sistemas de energia renov\u00e1vel e esta\u00e7\u00f5es de carregamento, centros de dados de TI, bem como ambientes robustos, como cabinas de soldadura. A sua fiabilidade e vida \u00fatil superiores tornam-nos extremamente populares entre os engenheiros - s\u00f3 este fator explica a sua crescente popularidade entre os engenheiros.<\/p>\n
Os MOSFETs de carboneto de sil\u00edcio permitem que os dispositivos de pot\u00eancia lidem eficazmente com correntes elevadas, o que \u00e9 crucial, uma vez que permite frequ\u00eancias de comuta\u00e7\u00e3o mais elevadas que reduzem os requisitos de componentes indutivos e capacitivos na conce\u00e7\u00e3o de circuitos de pot\u00eancia.<\/p>\n
Os MOSFET SiC funcionam atrav\u00e9s da passagem de corrente entre os seus terminais de fonte e de dreno, o que \u00e9 poss\u00edvel aplicando uma tens\u00e3o positiva \u00e0s suas portas; isto cria um campo el\u00e9trico que atrai electr\u00f5es da sua regi\u00e3o p superior para um canal condutor, colocando-o no seu estado \u201cligado\u201d. Inversamente, a aplica\u00e7\u00e3o de uma tens\u00e3o nula ou negativa inverte este efeito, interrompendo o fluxo de corrente e colocando o dispositivo novamente no estado \u201cdesligado\u201d.<\/p>\n
Uma vez que os MOSFET de SiC s\u00e3o dispositivos unipolares (envolvendo apenas o fluxo de electr\u00f5es atrav\u00e9s de regi\u00f5es semicondutoras de tipo n para o fluxo de corrente), podem ser ligados a tens\u00f5es dreno-fonte relativamente baixas com muito pouca resist\u00eancia no estado ligado, o que resulta em tempos de comuta\u00e7\u00e3o mais r\u00e1pidos.<\/p>\n
Os mosfets de carboneto de sil\u00edcio foram concebidos para utiliza\u00e7\u00e3o em ambientes agressivos e s\u00e3o um excelente complemento para inversores de tra\u00e7\u00e3o, accionamentos de motores, energia solar e sistemas de energia de reserva. A sua maior efici\u00eancia em compara\u00e7\u00e3o com os dispositivos de sil\u00edcio permite sistemas mais pequenos numa \u00e1rea de implanta\u00e7\u00e3o mais pequena, oferecendo simultaneamente uma maior pot\u00eancia do que os dispositivos de sil\u00edcio mais potentes.<\/p>\n
Os MOSFET SiC podem atingir tens\u00f5es de bloqueio muito mais elevadas do que os IGBT (at\u00e9 1200V), mas o seu sinal dreno-fonte (VDS) tem de ser cuidadosamente gerido nos comutadores do lado de alta tens\u00e3o, a fim de evitar uma sobretens\u00e3o que poderia conduzir a um aquecimento Joule significativo e danificar o dispositivo. Por conseguinte, s\u00e3o necess\u00e1rias medi\u00e7\u00f5es de valida\u00e7\u00e3o precisas utilizando um oscilosc\u00f3pio com sondas precisas e tempos mortos para uma gest\u00e3o adequada.<\/p>\n
A Tektronix fornece um conjunto de ferramentas para validar o desempenho de semicondutores de pot\u00eancia, incluindo MOSFETs. Explore mais com a nossa nova nota de aplica\u00e7\u00e3o - Medi\u00e7\u00e3o Eficaz de Sinais MOSFET em Eletr\u00f3nica de Pot\u00eancia SiC<\/p>\n
Os MOSFET de carboneto de sil\u00edcio apresentam uma corrente de fuga inferior \u00e0 dos seus hom\u00f3logos de sil\u00edcio, permitindo velocidades de comuta\u00e7\u00e3o mais r\u00e1pidas e minimizando as perdas globais de energia nos sistemas de alimenta\u00e7\u00e3o.<\/p>\n
Os MOSFETs SiC s\u00e3o mais resistentes \u00e0 fuga t\u00e9rmica do que os MOSFETs de pot\u00eancia e IGBTs de sil\u00edcio normais, o que lhes permite funcionar eficazmente mesmo a temperaturas ambiente mais elevadas sem componentes de arrefecimento adicionais. Isto torna os MOSFET SiC particularmente adequados para aplica\u00e7\u00f5es industriais e autom\u00f3veis em que o posicionamento preciso de objectos ou o movimento do bra\u00e7o da ferramenta requerem um elevado controlo do servomotor para um posicionamento ou movimento precisos.<\/p>\n
A carteira de MOSFETs de terceira gera\u00e7\u00e3o em carboneto de sil\u00edcio (SiC) da GeneSiC apresenta pacotes de \u00faltima gera\u00e7\u00e3o e matrizes nuas, oferecendo classifica\u00e7\u00f5es de 650 V a 6,5 kV, tornando-os adequados para topologias de comuta\u00e7\u00e3o r\u00edgidas e ressonantes, conduzindo IGBTs de forma eficiente e levando a uma redu\u00e7\u00e3o significativa de peso e tamanho.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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