Forfatternavn:admin88

Silicon carbide is an advanced material developed for use in high temperature environments. It could reduce reliance on active cooling […]

MOSFET-er i silisiumkarbid utkonkurrerer Si-IGBT-transistorer når det gjelder høyspenningsapplikasjoner som smarte energikjøretøyer og industrielle

Silisiumkarbid er et kantet, svart materiale som brukes i slipeskiver, slurryblandinger og ildfaste materialer til sliping.

Silisiumkarbidfiber er et keramisk høyytelsesmateriale med mange fordeler, inkludert oksidasjonsmotstand ved høye temperaturer, hardhet, styrke og lav

Silisiumkarbid (SiC) er et ekstremt slitesterkt materiale med en hardhetsgrad på 9 på Mohs' hardhetsskala og en

Silisiumkarbid har vært brukt som slipemiddel til sliping av sprø overflater siden 1800-tallet. Dessuten er dette harde

Silisiumkarbidskiver er et innovativt halvledersubstrat med mange fordeler sammenlignet med tradisjonelt silisium. Fra å revolusjonere kraftelektronikk til å gi

Silisiumkarbid (SiC) er en ekstremt hard syntetisk fremstilt krystallinsk forbindelse med mange industrielle bruksområder. SiC har en Mohs-hardhetsgrad på 9,5

Silisiumkarbid, eller SiC, er et ekstremt sterkt og slitesterkt materiale med noen unike elektriske egenskaper. Krystallinsk karbon kan være