Autori nimi: admin88

Ränikarbiid on kõrgtehnoloogiline materjal, mis on välja töötatud kasutamiseks kõrgel temperatuuril. See võiks vähendada sõltuvust aktiivjahutusest […]

Ränikarbiidist MOSFETid ületavad Si IGBT-transistorid, kui tegemist on kõrgepinge rakendustega, nagu arukad energiasõidukid ja tööstuslikud seadmed.

Ränikarbiidist abrasiivmaterjal on teravate servadega must materjal, mida kasutatakse lihvketaste, lihvimissegude ja tulekindlate materjalide valmistamisel lihvimiseks.

Ränikarbiidkiud on kõrge jõudlusega keraamiline materjal, millel on mitmeid eeliseid, sealhulgas kõrge temperatuuritaluvus, kõvadus, tugevus ja madal

Ränikarbiid (SiC) on äärmiselt vastupidav materjal, mille kõvadus Mohsi skaalal on 9, mis on äärmiselt kõrge, ning

Ränikarbiidi on juba 19. sajandist saadik kasutatud rabedate pindade lihvimiseks abrasiivina. Lisaks on see kõva

Ränikarbiidplaadid on uuenduslikud pooljuhtsubstraadid, millel on traditsioonilise räniga võrreldes palju eeliseid. Alates võimsuselektroonika revolutsioonilisest muutmisest kuni

Ränikarbiid (SiC) on äärmiselt kõva sünteetiliselt toodetud kristalliline ühend, millel on laialdased tööstuslikud rakendused. SiC-i kõvadus Mohsi skaalal on 9,5

Ränikarbiid ehk SiC on äärmiselt tugev ja vastupidav materjal, millel on mõned unikaalsed elektrilised omadused. Kristalliline süsinik võib olla